Prof. Dr. R. Goldhahn
Prof. Dr. rer. nat. habil. Rüdiger Goldhahn
Faculty of Natural Science
Department of Material Physics
Department Head
Department of Material Physics
Department Head
Building 16, Universitätsplatz 2,
39106 Magdeburg,
G16-018
2024
Abstract
Red shift of the absorption onset in orthorhombic κ-(InxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Photoluminescence study of corundum-like α-Ga2O3
Hölzer, Lennart; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Akaiwa, Kazuaki; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Red shift and amplitude increase in the dielectric function of corundum-like α-(TixGa1-x)2O3
Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Smith, Emily; Stoppiello, Craig; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - Berlin . - 2024, S. 34, Artikel WEP_14 [International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, IWGO 2024, Berlin, May 26 - 31, 2024]
Red shift of the absorption onset in orthorhombic κ-(InxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - Berlin . - 2024, S. 23, Artikel MoP_39 [International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, IWGO 2024, Berlin, May 26 - 31, 2024]
Phases of sputtered HfxNy: XRD, Ellipsometry and Raman spectroscopy studies
Grümbel, Jona; Lüttich, Christopher; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.11 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Temperature dependent free carrier concentration in GaN:Si
Harms, Christina; Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 36.58 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Multiphonon Raman scattering in rocksalt ScN
Wolf, Stefan; Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.9 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Optical properties of cubic InxGa1−xN thin films
Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Zscherp, Mario; Jentsch, Silas A.; Chatterjee, Sangam; Schörmann, Jörg; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Time-resolved ellipsometry on degenerately doped cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy
Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.4 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Peer-reviewed journal article
Blue shift of the absorption onset and bandgap bowing in rutile GexSn1−xO2
Kluth, Elias; Nagashima, Yo; Osawa, Shohei; Hirose, Yasushi; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 125 (2024), Heft 12, Artikel 122102, insges. 6 S.
Band gaps and phonons of quasi-bulk rocksalt ScN
Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Oshima, Yuichi; Dubroka, Adam; Ramsteiner, Manfred
In: Physical review materials - College Park, MD : APS, Bd. 8 (2024), Heft 7, Artikel L071601, insges. 8 S.
An unusual phosphide addition reaction of 1,3-dimethyl-1,2,3-benzotriazolium iodide
Mudzakir, Ahmad; Liebing, Phil; Haak, Edgar; Fischer, Axel; Hilfert, Liane; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: Inorganic chemistry communications - Amsterdam [u.a.] : Elsevier Science, Bd. 161 (2024), Artikel 111924
2023
Abstract
Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1−x)2O3 alloys grown by MOCVD
Kluth, Elias; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 41.4
Optical properties of rocksalt ScN
Feneberg, Martin; Grümbel, Jona; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Oshima, Yuichi; Dubroka, Adam; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH2-2
Temperature dependent Raman spectroscopy on GaN:Si
Harms, Christina; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 33.42
Optical properties of ScN films grown by HVPE and sputter epitaxy
Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.9
Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN
Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.10
Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN
Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: WSE 2023 - Prag, Artikel 61-We-O
Analysis of pump-probe absorption edge spectroscopy on cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: WSE 2023 - Prag, Artikel 06-Tu-O
Peer-reviewed journal article
Time-resolved pump–probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN II - absorption edge shift with gain and temperature effects
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075703, insges. 8 S.
Time-resolved pump-probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN. I. - Determination of the dielectric function
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075702, insges. 11 S.
Pyrazolylpropanoate complexes of palladium(II) chloride
Johnson, Ryan; Liebing, Phil; Musikanth, Daniel P.; Regitz, Stuart A.; Amenta, Donna S.; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.; Gilje, John W.
In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim : Wiley-VCH . - 2023, Artikel e202300076, insges. 15 S.
Determination of anisotropic optical properties of MOCVD grown m-plane α-(AlxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.; Meng, Lingyu; Bläsing, Jürgen; Zhao, Hongping; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Japanese journal of applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 62 (2023), Heft 5, Artikel 051001, insges. 8 S.
Synthesis and structural characterization of p-carboranylamidine derivatives
Harmgarth, Nicole; Liebing, Phil; Lorenz, Volker; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: Molecules - Basel : MDPI, Bd. 28 (2023), Heft 9, Artikel 3837, insges. 11 S.
Synthesis and structural characterization of divalent transition metal alkynylamidinate complexes
Wang, Sida; Liebing, Phil; Feneberg, Martin; Sroor, Farid M.; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: European journal of inorganic chemistry - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 26 (2023), Heft 14, Artikel e202300027
Redshift and amplitude increase in the dielectric function of corundum-like -(TixGa1 x)2O3
Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Smith, Emily Rose; Stoppiello, Craig; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 122 (2023), Heft 9, Artikel 092101, insges. 7 S.
Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy
Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 133 (2023), Heft 4, Artikel 045701, insges. 11 S.
2022
Abstract
Determination of relaxation in thin InGaAs-films by Raman spectroscopy
Friedemann Schulz, Johann; Henksmeier, Tobias; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Reuter, Dirk; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Ultra-fast change of the absorption onset in undoped cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Impact of growth techniques and post-growth annealing on electronic and phononic properties of -Ga2O3
Janzen, Benjamin M.; Peltason, Vivien F. S.; Hajizadeh, Níma; Hartung, Conrad; Marggraf, Marcella N.; Nippert, Felix; Gillen, Roland; Maultzsch, J.; Mazzolini, Piero; Fornari, Roberto; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Kneiß, Max; Wenckstern, Holger; Grundmann, Marius; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ardenghi, Andrea; Bierwagen, Oliver; Wagner, Markus R.
In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 206-207
Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1-x)2O3 alloys grown by MOCVD
Kluth, Elias; Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 232-233
Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradnik, Martin; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 5
Optical properties of the AlScN ternary system
Grümbel, Jona; Baron, Elias; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 263, Artikel AT 195
Remote heteroepitaxy of In(x)Ga(1-x)As on graphene covered GaAs(001) substrates
Henksmeier, Tobias; Schulz, Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, Dirk
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Shift of the absoption onset in corundum-like α-(TixGa 1 x) 2O 3
Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Peer-reviewed journal article
Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5
Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo
In: npj computational materials - London: Nature Publ. Group, Bd. 8 (2022), insges. 9 S.
Anharmonicity of lattice vibrations in thin film α-Ga 2O 3 investigated by temperature dependent Raman spectroscopy
Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 120 (2022), Heft 2, insges. 7 S.
Remote epitaxy of InxGa1-xAs (0 0 1) on graphene covered GaAs(0 0 1) substrates
Henksmeier, T.; Schulz, Johann Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Sanchez, A. M.; Voigt, M.; Grundmeier, G.; Reuter, D.
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 593 (2022)
Enhanced light extraction efficiency of UV LEDs by encapsulation with UV-transparent silicone resin
Wu, Shaojun; Guttmann, Martin; Lobo-Ploch, Neysha; Gindele, Frank; Susilo, Norman; Knauer, Arne; Kolbe, Tim; Raß, Jens; Hagedorn, Sylvia; Cho, Hyun Kyong; Hilbrich, Katrin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Einfeldt, Sven; Wernicke, Tim; Weyers, Markus; Kneissl, Michael
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 37 (2022), 6, insges. 6 S.
Small compound - big colors - synthesis and structural investigation of brightly colored alkaline earth metal 1,3-dimethylviolurates
Lorenz, Volker; Liebing, Phil; Müller, Matthias; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Kühling, Marcel; Buchner, Magnus Richard; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: Dalton transactions - London : Soc., Bd. 51 (2022), Heft 20, S. 7975-7985
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGax) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Bd. 6 (2021), 3, insges. 11 S., 2022
Synthesis and structural characterization of a series of homoleptic firstrow transition metal tris(alkynylamidinates)
Edelmann, Frank T.; Wang, Sida; Liebing, Phil; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Goldhahn, Rüdiger
In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim: Wiley-VCH . - 2022, insges. 26 S.
Synthesis and complexation study of new aminoalkynyl amidinate ligands
Wang, Sida; Liebing, Phil; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim: Wiley-VCH . - 2022, insges. 10 S.
Tackling disorder in γ-Ga 2O 3
Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna
In: Advanced materials - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 34 (2022), 37, insges. 15 S.
Optical properties of corundum-structured In 2O 3
Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 121 (2022), 6
Non-peer-reviewed journal article
Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy
Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver
In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2022, Artikel 2209.11678, insges. 23 S.
Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 11 S.
Tackling disorder in γ-Ga2O3
Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Varley, Joel B.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 40 S.
Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5
Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 14 S.
2021
Abstract
Free-carrier concentration and many-body effects in cubic Al xGa 1-xN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.
In: WSE 11 - Linz: Johannes Kepler University Linz, 2021 . - 2021, S. 12
Peer-reviewed journal article
Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)
Meier, F.; Protte, M.; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.
In: AIP Advances - New York, NY: American Inst. of Physics, Bd. 11 (2021), 7, insges. 7 S.
Origin of defect luminescence in ultraviolet emitting AlGaN diode structures
Feneberg, Martin; Romero, Fátima; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Reich, Christoph; Stellmach, Joachim; Mehnke, Frank; Knauer, Arne; Weyers, Markus; Kneissl, Michael
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 118 (2021), Heft 20, Artikel 202101, insges. 6 S.
Ellipsometry study of hexagonal boron nitride using synchrotron radiation - transparency Window in the farUVC
Artús, Luis; Feneberg, Martin; Attaccalite, Claudio; Edgar, James H.; Li, Jiahan; Goldhahn, Rüdiger; Cuscó, Ramon
In: Advanced photonics research - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 2 (2021), 5
Optical evidence of many-body effects in the zincblende AlxGa1-xN alloy system
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.
In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., Volume 54 (2021), isuue 2, article 025101, 12 Seiten
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films
Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 119 (2021), 4, insges. 6 S.
Non-peer-reviewed journal article
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films
Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred
In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2021, Artikel 2104.08092, insges. 11 S.
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGa x) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 15 S.
2020
Abstract
Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE
Grümbel, Jona; Ning, Pingfan; Bläsing, Jürgen; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef : DPG - 2020, Vortrag: HL 72.2
Impact of high free-carrier concentrations on optical properties of cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.1
Phonons and free-carrier contributions of spinel ZnGa 2O 4 by spectroscopic ellipsometry
Wüthrich, Alwin; Feneberg, Martin; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 72.4
Size-effect of donors on the lattice parameters of wurtzite GaN
Kluth, Elias; Lange, Karsten; Wienecke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.3
Peer-reviewed journal article
Rubidium and cesium enediamide complexes derived from bulky 1,4-diazadienes
Duraisamy, Ramesh; Liebing, Phil; Harmgarth, Nicole; Lorenz, Volker; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Engelhardt, Felix; Edelmann, Frank T.
In: ACS omega - Washington, DC: ACS Publications, Bd. 5 (2020), 30, S. 19061-19069
Polarization fields in semipolar (2021) and (2021) InGaN light emitting diodes
Freytag, Stefan; Winkler, Michael; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Rychetsky, Monir; Koslow, Ingrid L.; Kneissl, Michael; Dinh, Duc V.; Corbett, Brian; Parbrook, Peter J.; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Volume 116(2020), Issue 6, Article 062106
Lattice vibrations and optical properties of α-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy
Ning, Pingfan; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin
In: Semiconductor science and technology - Bristol : IOP Publ. - Volume 35 (2020), issue 9, article 095001, 7 Seiten
The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN
Kluth, Elias; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen P.; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Volume 35 (2020), issue 9, 9 Seiten
2019
Abstract
All-optical determination of free-carrier concentration and composition in cubic GaN and AlGaN
Baron, Elias; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL24.4
Orbital contributions to the electron g-factor in semiconductor nanowires
Winkler, Michael; Brähmer, Hagen; Feneberg, Martin; Esser, Norbert; Monroy, Eva; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL31.6
IR-Vis-UV optical properties of [alpha]-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy
Ning, Pingfan; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Son, Hoki; Jeon, Dae-Woo; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL16.12
Effective electron mass anisotropy in [alpha]-Ga 2O 3
Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Akaiwa, Kazuaki
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL9.2
Peer-reviewed journal article
Anisotropic optical properties of highly doped rutile SnO 2 - valence band contributions to the Burstein-Moss shift
Feneberg, Martin; Lidig, Christian; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger
In: APL materials - Melville, NY : AIP Publ. - Vol. 7.2019, 2, Art. 022508
Anisotropic phonon properties and effective electron mass in α-Ga 2O 3
Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Sekiyama, Takahito; Ota, Katsuya; Akaiwa, Kazuaki; Ichino, Kunio; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 114.2019, 4, Art. 142102, insgesamt 5 Seiten
Catenated and spirocyclic polychalcogenides from potassium carbonate and elemental chalcogens
Liebing, Phil; Kühling, Marcel; Swanson, Claudia; Feneberg, Martin; Hilfert, Liane; Goldhahn, Rüdiger; Chivers, Tristram; Edelmann, Frank T.
In: Chemical communications - Cambridge: Soc., Bd. 55 (2019), 99, S. 14965-14967
Photoluminescence line shape analysis of highly ntype doped zincblende GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH . - 2019, insges. 5 S.
Influence of the free-electron concentration on the optical properties of zincblende GaN up to 1×10 20cm -3
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Volume 3 (2019), Issue 10, Article 104603, insgesamt 11 Seiten
2018
Abstract
Ellipsometry of transparent conducting oxides from mid-infrared into vacuum-ultraviolet
Goldhahn, Rüdiger
In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 40
Revision of the TO phonon frequencies in wurtzite and zincblende GaN
Feneberg, Martin; Baron, Elias; Kluth, Elias; Lange, Karsten; Donat, As; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018
Characterization of the dielectric function of RScO3 type scandates
Kuznetsov, Sergey; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. DS 3.10
Structural, optical and electronic properties of single-crystalline (In1-xGax)2O3 thin films in the low-x bixbyite phase end
Papadogianni, Alexandra; Nagata, Takahiro; Wouters, Charlotte; Albrecht, Martin; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver
In: 7th International Symposium Transparent Conductive Materials, E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors: 14-19 October 2018, Crete, Greece ; Abstract book - TCM, 2018, 2018, TCM-O45.ID-10, S. 171
Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20eV
Winkler, Michael; Feneberg, Martin; Chichibu, Shigefusa F.; Collazo, Ramón; Sitar, Zlatko; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.10
Plasmonic properties of degenerately Ge-Doped Cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 36
Peer-reviewed journal article
Ordinary dielectric function of corundumlike α Ga 2O 3 from 40 meV to 20 eV
Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Artús, Lluis; Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review materials - College Park, MD : APS - Vol. 2.2018, 4, Art. 044601
Anisotropic optical properties of metastable (0112)α Ga2O3 grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Kracht, M.; Karg, A.; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Schörmann, J.; Goldhahn, Rüdiger; Eickhoff, M.
In: Physical review applied - College Park, Md. [u.a.] : American Physical Society - Vol. 10.2018, 2, Art. 024047
Valence band tomography of wurtzite GaN by spectroscopic ellipsometry
Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Lange, Karsten; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics express: APEX - Tokyo: Ōyō Butsuri-Gakkai, Vol. 11.2018, 10, Art. 101001
Structural, optical, and electrical properties of unintentionally doped NiO layers grown on MgO by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Budde, Melanie; Tschammer, Carsten; Franz, Philipp; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Barsan, Nicolae; Oprea, Alexandru; Bierwagen, Oliver
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics - Vol. 123.2018, 19, Art. 195301, insgesamt 19 S.
Optical properties of In 2O 3 from experiment and first-principles theory - influence of lattice screening
Schleife, André; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Galazka, Zbigniew; Gottwald, Alexander; Nixdorf, Jakob; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: New journal of physics - [Bad Honnef] : Dt. Physikalische Ges. - Vol. 20.2018, Art. 053016, insgesamt 13 S.
2017
Abstract
Effective electron mass in cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2017, Artikel HL 50.2
Peer-reviewed journal article
Band gap of corundumlike α-Ga 2O 3 determined by absorption and ellipsometry determined by absorption and ellipsometry
Segura, A.; Artús, L.; Cuscó, R.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 1.2017, 2, Art. 024604
2016
Peer-reviewed journal article
Erratum: Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Vol. 93.2016, 23, Art. 239905
Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures
Minj, A.; Romero, M. F.; Wang, Y.; Tuna, Ö.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schmerber, G.; Ruterana, P.; Giesen, C.; Heuken, M.
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 109.2016, 22, Art. 221106
Optical properties of the organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 - theory and experiment
Demchenko, D. O.; Izyumskaya, N.; Feneberg, Martin; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Goldhahn, Rüdiger; Morkoç, H.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 94 (2016), 7
Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy
Freytag, Stefan; Feneberg, Martin; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Callsen, Gordon; Hoffmann, Axel; Bokov, Pavel; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 120.2016, 1, Art. 015703
Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO
Neumann, M. D.; Esser, N.; Chauveau, J.-M.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 108.2016, 22, Art. 221105, insgesamt 6 S.
Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2 O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 93 (2016), 4
2015
Book chapter
Optical properties and band structure of highly doped gallium nitride
Goldhahn, Rüdiger; Lange, Karsten; Feneberg, Martin
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, Vol. 9363.2015, Art. 93630G
Peer-reviewed journal article
Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN
Gridneva, E.; Richter, E.; Feneberg, Martin; Weyers, M.; Goldhahn, Rüdiger; Tränkle, G.
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 1180-1188
Strongly transverse-electric-polarized emission from deep ultraviolet AlGaN quantum well light emitting diodes
Reich, Christoph; Guttmann, Martin; Feneberg, Martin; Wernicke, Tim; Mehnke, Frank; Kuhn, Christian; Rass, Jens; Lapeyrade, Mickael; Einfeldt, Sven; Knauer, Arne; Kueller, Viola; Weyers, Markus; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 107.2015, 14, Art. 142101, insgesamt 6 S.
Carrier-induced refractive index change observed by a whispering gallery mode shift in GaN microrods
Tessarek, C.; Goldhahn, Rüdiger; Sarau, G.; Heilmann, M.; Christiansen, S.
In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Vol. 17.2015, 8, Art. 083047, insgesamt 9 S.
Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/Al x Ga 1- x N double quantum wells
Wecker, T.; Hörich, Florian; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 873-878
Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire
Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Klamser, Juliane; Stellmach, Joachim; Frentrup, Martin; Ploch, Simon; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, 18, Art. 182102, insgesamt 5 S.
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
Bokov, P. Yu.; Brazzini, T.; Romero, M. F.; Calle, F.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Semiconductor science and technology: devoted exclusively to semiconductor research and applications - Bristol: IOP Publ, Vol. 30.2015, 8, Art. 085014, insgesamt 6 S.
Habilitation
Untersuchungen des Kornwachstums nanokristalliner Materialien durch Computersimulationen und analytische Theorien
Zöllner, Dana; Goldhahn, Rüdiger
In: Magdeburg Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2015, 70 S., graph. Darst., 30 cm
2014
Peer-reviewed journal article
Ordinary and extraordinary dielectric functions of rutile SnO2 up to 20 eV
Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Bierwagen, Oliver; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, Art. 231106, insgesamt 5 S.
Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (1122) AlGaN layers
Netzel, Carsten; Stellmach, Joachim; Feneberg, Martin; Frentrup, Martin; Winkler, Michael; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael; Weyers, Markus
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, 5, Art. 051906
Anisotropy of the electron effective mass in rutile SnO2 determined by infrared ellipsometry
Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 211.2014, 1, S. 82-86
Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to 1020 cm-3
Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Richter, Eberhard; Netzel, Carsten; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Fritze, Stephanie; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 90.2014, 7, Art. 075203, insgesamt 10 S.
Temperature dependent dielectric function and reflectivity spectra of nonpolar wurtzite AlN
Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Vol. 571.2014, part 3, S. 502-595
Optical properties of magnesium doped Al x Ga1 x N (0.61 ≤ x ≤ 0.73)
Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Romero, María Fátima; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Yan, Jianchang; Zeng, Jianping; Wang, Junxi; Li, Jinmin
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2014, Art. 143103, insgesamt 8 S.
2013
Peer-reviewed journal article
Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN
Feneberg, Martin; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 23, Art. 232104, insgesamt 5 S.
Anisotropic absorption and emission of bulk (1-100) AlN
Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2012, 23, Art. 235209, insgesamt 9 S., 2013
Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 10 20 cm -3
Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Feneberg, Martin; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Krost, Alois
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art. 012103, insgesamt 4 S.
Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions
Neuschl, B.; Thonke, K.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Wunderer, T.; Yang, Z.; Johnson, N. M.; Xie, J.; Mita, S.; Rice, A.; Collazo, R.; Sitar, Z.
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 12, Art. 122105, insgesamt 5 S.
Transition energies and direct-indirect band gap crossing in zinc-blende Al_{x}Ga_{1 x}N
Landmann, M.; Rauls, E.; Schmidt, W. G.; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2013, 19, Art. 195210, insgesamt 21 S.
Impact of AlN Spacer on metalsemiconductormetal PtInAlGaN/GaN heterostructures for ultraviolet detection
Brazzini, Tommaso; Pandrey, Saurabh; Romero, María Fátima; Bokov, Pavel Yu.; Feneberg, Martin; Tabares, Gema; Cavallini, Anna; Goldhahn, Rüdiger; Calle, Fernando
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk04, insgesamt 4 S.
Systematic optical characterization of two-dimensional electron gases in InAlN/GaN-based heterostructures with different in content
Romero, María Fátima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus; Calle, Fernando; Goldhahn, Rüdiger
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, Vol. 52.2013, Art. 08jk02, insgesamt 4 S.
Multivalence-band calculation of the excitonic dielectric function for hexagonal GaN
Lenk, Steve; Schwarz, Felix; Goldhahn, Rüdiger; Runge, Erich
In: Journal of physics / Condensed matter - Bristol: IOP Publ., Bd. 25 (2013), 17
Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN
Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 102.2013, 5, Art. 052112, insgesamt 4 S.
Excitonic recombination in epitaxial lateral overgrown AlN on sapphire
Reich, Christoph; Feneberg, Martin; Kueller, Viola; Knauer, Arne; Wernicke, Tim; Schlegel, Jessica; Frentrup, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Weyers, Markus; Kneissl, Michael
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 21, Art. 212108, insgesamt 5 S.
N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy
Himmerlich, Marcel; Knübel, Andreas; Aidam, Rolf; Kirste, Lutz; Eisenhardt, Anja; Krischok, Stefan; Pezoldt, Jörg; Schley, Pascal; Sakalauskas, Egidijus; Goldhahn, Rüdiger; Félix, Rocío; Mánuel, José Manuel; Morales Sánchez, Francisco Miguel; Carvalho, Daniel; Ben, T.; García, Rafael; Koblmüller, Gregor
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 113 (2013), 3, S. 033501, insges. 11 S.
Habilitation
Hochauflösende Emissions- und Absorptionsspektroskopie an Halbleitern mit großer Bandlücke
Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2013, II, 49 S., graph. Darst., 30 cm
2012
Original article in peer-reviewed international journal
Optical properties of cubic GaN from 1 to 20 eV
Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schörmann, Jörg; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, 85.2012, 15, Art. 155207, insgesamt 7 S.
Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
Romero, Maria Fatima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, E.; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.
Growth of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for high quality microcavities
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Franke, Alexander; Hempel, Thomas; Goldhahn, Rüdiger; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi: pss: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 9.2012, 5, S. 1253-1258[Special Issue: 9th International Symposium on Crystalline Organic Metals, Superconductors and Ferromagnets (ISCOM 2011)]
Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
Romero, Michael F.; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, C.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.
Growth studies on quaternary AlInGaN layers for HEMT application
Reuters, Benjamin; Wille, Ada; Holländer, Bernhard; Sakalauskas, Egidijus; Ketteniß, Nico; Mauder, Christof; Goldhahn, Rüdiger; Heuken, Michael; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei
In: Journal of electronic materials: a joint publication of The Minerals, Metals & Materials Society and the Institute of Electrical and Electronics Engineers - Warrendale, Pa.: TMS, Bd. 41 (2012), 5, S. 905-909Kongress: Electronic Materials Conference (Santa Barbara, Calif. : 2011.06.22-24)
Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate
Sakalauskas, E.; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Gobsch, G.; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 209.2012, 1, S. 29-32
Dielectric function and bowing parameters of InGaN alloys
Sakalauskas, Egidijus; Tuna, Ö.; Kraus, A.; Bremers, H.; Rossow, Uwe; Giesen, C.; Heuken, Michael; Hangleiter, Andreas; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 249 (2012), 3, S. 485-488
2011
Original article in peer-reviewed international journal
Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN
Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Collazo, Ramón; Rice, Anthony; Sitar, Zlatko; Dalmau, Rafael; Xie, Jinqiao; Mita, Seiji; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1520-1522
Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge
Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.
Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge
Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.
Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate
Sakalauskas, E.; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Gobsch, G.; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, insges. 4 S., 2011
Band structure and optical properties of hexagonal In-rich In xAl 1-xN alloys
Kumar, S.; Pandey, S.; Gupta, S. K.; Maurya, Tarun K.; Schley, P.; Gobsch, G.; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of physics / Condensed matter: a journal recognized by the European Physical Society - Bristol: IOP Publ. Ltd., 23.2011, 47, Art. 475801
Investigation of the excitonic luminescence band of CdTe solar cells by photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy
Kraft, C.; Hädrich, M.; Metzner, H.; Reislöhner, U.; Schley, P.; Goldhahn, Rüdiger
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7173-7175
Phosphorus implanted cadmium telluride solar cells
Kraft, C.; Brömel, A.; Schönherr, S.; Hädrich, M.; Reislöhner, U.; Schley, P.; Gobsch, G.; Goldhahn, Rüdiger; Wesch, W.; Metzner, H.
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7153-7155
Synchrotron-based photoluminescence excitation spectroscopy applied to investigate the valence band splittings in AlN and Al 0.94Ga 0.06N
Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Neuschl, Benjamin; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021903, insgesamt 3 S.
Dielectric function and optical properties of quaternary AlInGaN alloys
Sakalauskas, E.; Reuters, B.; Rahimzadeh Khoshroo, L.; Kalisch, H.; Heuken, M.; Vescan, A.; Röppischer, M.; Cobet, C.; Gobsch, G.; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013102, insgesamt 9 S.
Dielectric function of Al-rich AlInN in the range 1 - 18 eV
Sakalauskas, E.; Behmenburg, H.; Schley, P.; Gobsch, G.; Giesen, C.; Kalisch, H.; Jansen, R. H.; Heuken, M.; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1517-1519
Growth and characterization of InGaN by RF-MBE
Kraus, A.; Hammadi, S.; Hisek, J.; Buß, R.; Jönen, H.; Bremers, H.; Rossow, Uwe; Sakalauskas, Egidijus; Goldhahn, Rüdiger; Hangleiter, Andreas
In: Journal of crystal growth / ed. N. Cabrera [u.a.] - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 323 (2011), 1, S. 72-75Kongress: International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 16 (Berlin : 2010.08.20-22)
Electrical properties of Al xGa 1- xN/GaN heterostructures with low Al content
Köhler, Klaus; Müller, S.; Waltereit, Patrick; Pletschen, W.; Polyakov, Vladimir M.; Lim, T.; Kirste, L.; Menner, H. P.; Brückner, P.; Ambacher, Oliver; Buchheim, Carsten; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 109 (2011), 5, S. 053705, insges. 5 S.
Interplay of excitonic effects and van Hove singularities in optical spectra: CaO and AlN polymorphs
Riefer, A.; Fuchs, F.; Rödl, C.; Schleife, A.; Bechstedt, F.; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 84.2011, 7, Art. 075218, insgesamt 13 S.
Optical properties of MgZnO alloys - excitons and exciton-phonon complexes
Neumann, M. D.; Cobet, C.; Esser, N.; Laumer, B.; Wassner, T. A.; Eickhoff, M.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013520, insgesamt 8 S.
2010
Original article in peer-reviewed international journal
Structural characterization of sputtered indium oxide films deposited at room temperature
Hotovy, I.; Pezoldt, J.; Kadlecikova, M.; Kups, T.; Spiess, L.; Breza, J.; Sakalauskas, E.; Goldhahn, Rüdiger; Rehacek, V.
In: Thin solid films . - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 518.2010, 16, S. 4508-4511
Optical properties of InN grown on Si(111) substrate
Sakalauskas, Egidijus; Schley, Pascal; Räthel, Jochen; Klar, Thomas A.; Müller, René; Pezoldt, Jörg; Tonisch, Katja; Grandal, J.; Sánchez-García, M. A.; Calleja, E.; Vilalta-Clemente, A.; Ruterana, P.; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 207 (2010), 5, S. 1066-1069Kongress: E-MRS Fall Meeting, Symposium A: InN Material and Alloys (Warsaw : 2009.09.14-18)
Valence-band splitting and optical anisotropy of AlN
Rossbach, G.; Röppischer, M.; Schley, P.; Gobsch, G.; Werner, C.; Cobet, C.; Esser, N.; Dadgar, Armin; Wieneke, Matthias; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, insges. 4 S.; Abstract
Optical anisotropy of A- and M-plane InN grown on free-standing GaN substrates
Schley, Pascal; Räthel, Jochen; Sakalauskas, Egidijus; Gobsch, Gerhard; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Koblmüller, Gregor; Speck, James S.; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 207 (2010), 5, S. 1062-1065Kongress: E-MRS Fall Meeting, Symposium A: InN Material and Alloys (Warsaw : 2009.09.14-18)
Influence of the surface potential on electrical properties of Al x Ga1-x N/GaN heterostructures with different Al-content - effect of growth method
Köhler, K.; Müller, S.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Menner, H. P.; Bronner, W.; Leuther, A.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Buchheim, C.; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 107.2010, 5, insges. 5 S.
Comprehensive photoluminescence study of chlorine activated polycrystalline cadmium telluride layers
Kraft, C.; Metzner, H.; Hädrich, M.; Reislöhner, U.; Schley, Pascal; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 108.2010, 12, S. 124503, insges. 8 S.
Dielectric function and optical properties of Al-rich AlInN alloys pseudomorphically grown on GaN
Sakalauskas, Egidijus; Behmenburg, Hannes; Hums, C.; Schley, Pascal; Rossbach, Georg; Giesen, C.; Heuken, Michael; Kalisch, Holger; Jansen, Rolf H.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of physics / D - Bristol : IOP Publ., Bd. 43 (2010), Heft 36, S. 1-10, Artikel 365102
MBE growth of cubic AlN on 3C-SiC substrate
Schupp, Thorsten; Rossbach, Georg; Schley, Pascal; Goldhahn, Rüdiger; Röppischer, Marcus; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Lischka, Klaus; As, Donat Josef
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 207.2010, 6, S. 1365-1368
Original article in peer-reviewed periodical-type series
Development of rugged 2 GHz power bars delivering more than 100 W and 60% power added efficiency
Waltereit, Patrick; Bronner, W.; Quay, Rüdiger; Dammann, M.; Müller, S.; Köhler, Klaus; Mikulla, M.; Ambacher, Oliver; Harm, L.; Lorenzini, M.; Rödle, T.; Riepe, K.; Bellmann, Konrad; Buchheim, Carsten; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 7 (2010), 10, S. 2398-2403
Growth of atomically smooth cubic AlN by molecular beam epitaxy
Schupp, Thorsten; Rossbach, Georg; Schley, Pascal; Goldhahn, Rüdiger; Lischka, Klaus; As, Donat Josef
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 7.2010, 1, S. 17-20[Special Issue: E-MRS 2009 Spring Meeting, Symposium J: Group III Nitride Semiconductors]
2009
Original article in peer-reviewed international journal
Influence of anisotropic strain on excitonic transitions in a-plane GaN films
Buchheim, Carsten; Röppischer, Marcus; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Cobet, Christoph; Werner, C.; Esser, Norbert; Dadgar, Armin; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois
In: Microelectronics journal - Oxford: Elsevier Advanced Technology, Bd. 40 (2009), 2, S. 322-324
2007
Original article in peer-reviewed international journal
Modulation spectroscopy of AlGaN/GaN heterostructures - the influence of electron-hole interaction
Goldhahn, Rüdiger; Winzer, Andreas T.; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Weidemann, O.; Eickhoff, Martin
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 204 (2007), 2, S. 447-458
2006
Original article in peer-reviewed international journal
Influence of excitons and electric fields on the dielectric function of GaN: theory and experiment
Winzer, Andreas T.; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger; Fuhrmann, Daniel; Hangleiter, Andreas; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, Bd. 74 (2006), 12, S. 125207, insges. 10 S.
Electroreflectance spectroscopy of Pt/AlGaN/GaN heterostructures exposed to gaseous hydrogen
Winzer, Andreas T.; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Weidemann, Olaf; Stutzmann, Martin; Eickhoff, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 88 (2006), 2, S. 024101, insges. 3 S.
2004
Peer-reviewed journal article
Temperature dependence of the built-in electric field strength of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate
Winzer, A. T.; Goldhahn, R.; Gobsch, G.; Dadgar, A.; Witte, H.; Krtschil, A.; Krost, A.
In: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 36, Issue 4-6, S. 693--700, 2004, 10.1016/j.spmi.2004.09.025
Current projects
Coordination chemistry of transition metals with alkynylamidinate ligands
Duration: 01.01.2020 bis 31.12.2026
Anionic amidinate ligands of the type [RC(NR')2]- have become indispensable tools in the coordination chemistry of virtually every metallic element in the Periodic Table. They enable the synthesis of new homogeneous catalysts as well as the design of volatile orecusors for ALD and CVD processes in materials science (e.g. phase-change and semiconductor materials). The main goal of the current research project is the investigation of alkynylamidinate ligands in the coordination chemistry of transition metals.
Synthesis and structure of polysulfides
Duration: 01.01.2019 bis 31.12.2025
Major goal of this project is the synthesis and full characterization (IR, Raman, NMR, elemental analysis, X-ray structure determination) of polysulfide anions and their metal complexes.
Completed projects
Fortsetzung: Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Duration: 01.07.2020 bis 30.06.2024
Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).
Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Duration: 01.07.2020 bis 30.06.2024
Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).
Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx
Duration: 01.07.2016 bis 30.06.2020
Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).
Optische Eigenschaften und Bandstruktur von halbleitenden Metalloxiden
Duration: 01.01.2014 bis 31.10.2018
Als leitfähige transparente Kontaktmaterialen kommen verschiedene Metalloxid-Verbindungen in Frage, einige davon werden auch bereits technologisch genutzt. In diesem Projekt werden die grundlegenden Bandstruktureigenschaften vor allem für die Halbleiter In2O3, SnO2 und Ga2O3 untersucht, die erst seit kurzem auch in kristalliner Qualität zur Verfügung stehen. Dabei werden sowohl Einkristalle, als auch epitaktische dünne Filme untersucht, wobei die Proben Leitfähigkeiten von semi-isolierend bis metallisch aufweisen. Beispielhafte Ergebnisse der Untersuchungen beinhalten zum Beispiel die Bestimmung der Komponenten des Dielektrizitätstensors vom infraroten bis in den ultravioletten Spektralbereich, die Analyse dieser Daten zur Ermittlung der effektiven Massen der Ladungsträger, der fundamentalen Absorptionskanten sowie den Einfluss hoher Ladungsträgerdichten auf die Bandstruktur (Vielteilcheneffekte) und damit auf die optischen Eigenschaften.
Photokatalytische Aktivität und Wasserstoffgeneration durch InGaN-Legierungen
Duration: 01.07.2015 bis 30.06.2017
Ziel ist es, das Potenzial der Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter für die photo-elektrochemische Wasserspaltung zu evaluieren, d.h. die Bedingungen zur Erzeugung von Wasserstoff an der Halbleiter/Elektrolyt-Grenzfläche umfassend zu untersuchen und zu optimieren. Im Rahmen des Projektes werden Untersuchungen an epitaktisch abgeschiedenen Schichten mittels (i) Spektralellipsometrie zur Bestimmung der Absorptionseigenschaften als Funktion der Schichtzusammensetzung, (ii) Photolumineszenz und elektrischer Methoden zur Ermittlung der Defekteigenschaften, (iii) photo-elektrochemischer Verfahren zur Bestimmung der Wasserstoffgeneration realsisiert.
Exzitonen-Feinstruktur und Spin-Austausch-Aufspaltung in AlN und Al-reichen AlGaN-Legierungen mit Wurtzitstruktur
Duration: 01.05.2014 bis 28.02.2017
AlN-Voulmenkristalle und epitaktische Al-reiche AlGaN-Legierungen mit Wurtzitstruktur werden mittels Synchrotron-basierter Spektroskopischer Ellipsometrie im Energiebereich von 4 bis 20 eV bei tiefen Temperaturen untersucht. Die Datenanalyse liefert die ordentlichen und außerordentlichen Komponenten des Dielektrizitätstensors für Lichtpolarisation senkrecht und parallel zur optischen Achse. Die hochauflösenden Untersuchungen (Auflösung 0.5 meV) im Bereich der fundamentalen Absorptionskante (~6 eV) liefern die exzitonischen Übergangsenergien unter Beteiligung der drei höchsten Valenzbänder im Zentrum der Brillouinzone. Unter Berücksichtigung der optischen Auswahlregeln können zudem die Symmetrien der Exzitonen ermittelt werden, ihre Aufspaltung liefert Spin-Austausch-Energie. Die Verwendung epitaktischer Schichten mit unterschiedlichen Verspannungszuständen beantwortet die in der Literatur kontrovers diskutierte Frage nach dem Vorzeichen der Austausch-Energie.
Excitons and exchange/correlation effects in emerging "old" metal oxides: dielectric functions of tin oxide and copper oxides
Duration: 01.03.2013 bis 28.02.2014
Applying synchrotron-based spectroscopic ellipsometry, we will determine the complex dielectric functions of tin oxide as well as copper oxides of different stoichiometry up to 20 (30) eV. The studies of SnO2 will reveal in addition the strong optical anisotropy at high energies. Samples with various electron/hole concentrations (influence of screening on electron-hole interaction) are investigated as a function of temperature. The experimental data will be compared to the available theory results. It serves as a test for the accuracy of various exchange/correlation potentials and quasi-particles schemes used for the calculations.
Electronic and optical properties of group-III nitride alloys: A combined theoretical and experimental study
Duration: 01.04.2013 bis 15.12.2013
Theoretical and experimental studies will be combined in order to get a better understanding of the structural, band structure and optical properties of group-III nitrides in the hexagonal and cubic crystal structure. The project focuses on the ternary and quaternary alloy systems. Ellipsometry by the group of Magdeburg provides the dielectric functions from the near infrared into the ultraviolet spectral region obtained by ellipsometry for various compositions, characteristic transition energies related to critical points of the band structure as well as the valence band density of states extracted from photoelectron spectroscopy measurements. The theory results needed for the interpretation will be provided by the group of India. Density functional theory in the Engel-Vosko’s corrected generalized gradient approximation for exchange and correlation combined with GW perturbation calculations yields the lattice parameters, excited states band structure, density of state, and the quasi-independent dielectric function. The inclusion of electron-hole interaction leads finally to the excitonic DF to be compared with the experimental data and allowing critical point assignment. The increase of the supercell to 64-atom allows to enhance the reliability of the theory results.
High quality material and intrinsic properties of InN and indium rich nitride alloys - (the RAINBOW ITN)
Duration: 01.10.2008 bis 30.09.2012
Indium nitride is a new narrow gap semiconductor (<0.7 eV), which, alloyed with GaN (3.5 eV) and AlN (6.2 eV), will allow the spectral range from telecom to hard UV wavelengths to be covered. This narrow band gap makes InN an exciting material from which to develop the highest efficiency solar cells. Moreover, due to an electron mobility of around 4000 cm2/Vs and very high saturation velocities, InN is an ideal material for the development of high electron mobility devices capable of operating in the Terahertz range. To ensure the production of reliable commercial devices, rigorous fundamental research is required to understand the layer growth mechanisms and optimize material properties. In the RAINBOW academic and industrial consortium, the theoretical work will encompass modelling of the atomic structure and properties of the material from empirical potentials to ab initio techniques. Experiments will provide correlated structural, electronic, optical and chemical information from the nano to the macroscopic scale. In a closely concerted effort, we will determine the best conditions for the growth of highest quality InN and In rich (In,Ga,Al)N alloys by the main growth techniques (MOVPE, PAMBE, and HVPE). Under the supervision of world leading experts, numerous ER/ESRs will directly benefit from this interdisciplinary and multisectorial research and training effort. The ER/ESRs involved in this programme will also learn to manage research and industrial projects.
- Prof. Donat J. As, Universität Paderborn
- Prof. Martin Eickhoff, Universität Bremen
- Prof. Norbert Esser, Leibniz-Institut für Analytische Wissenschaften Berlin
- Dr. Sudhir Kumar, M.J.P. Rohilkhand University Bareilly, Appl. Phys. Dept., India
- Prof. Matthias Bickermann, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
- Dr. Z. Galazka, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
- Prof. S. Fischer, Humboldt-Universität zu Berlin
- Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
- Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Humboldt-Universität zu Berlin
- Fritz-Haber-Institut Berlin
- Prof. M. Grundmann, Universität Leipzig
- TU Berlin
- Ferdinand-Braun-Institut - Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
1981-1986 | Studium an der TH Ilmenau, Fachrichtung Elektronische Bauelemente |
1986 | Diplomarbeit auf dem Gebiet Hableiterphysik, Forschungspreis der TH Ilmenau |
1985-1988 | Forschungsstudium an der TH Ilmenau |
1989 | Dissertation (Promotion A) auf dem Gebiet Halbleiterphysik zum Thema Elektroreflexions-Tiefenprofilanalyse von III-V-Halbleiterschichtstrukturen |
1988-1993 | Wissenschaftlicher Assistent |
1993 | Förderpreis der Deutschen Akademie der Naturforscher - Leopoldina |
1993-1994 | Gastwissenschaftler am Physics Department der Universität Nottingham |
1994-2010 | Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Physik der TU Ilmenau, Leiter der Labore für Optische Spektroskopie |
2009 | Habilitation und Ernennung zum Privatdozenten für das Gebiet "Experimentalphysik" |
seit Februar 2010 | W3-Professur für Experimentalphysik/Materialphysik an der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg |
seit Februar 2010 | Gastprofessur am Institut für Physik der TU Ilmenau |
