Prof. Dr. M. Feneberg
Prof. Dr. rer. nat. Martin Feneberg
Fakultät für Naturwissenschaften (FNW)
Abteilung Materialphysik
Laborleiter
Abteilung Materialphysik
Laborleiter
Gebäude 16, Universitätsplatz 2,
39106 Magdeburg,
G16-039
2024
Abstract
Photoluminescence study of corundum-like α-Ga2O3
Hölzer, Lennart; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Akaiwa, Kazuaki; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Tackling disorder in γ-Ga2O3
Ratcliff, Laura; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack; Jones, Leanne; Thakur, Pardeep; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim; Varley, Joel; Wagner, Markus; Regoutz, Anna
In: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - Berlin . - 2024, S. 26, Artikel TuA2_1 [International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, IWGO 2024, Berlin, May 26 - 31, 2024]
Time-resolved ellipsometry on degenerately doped cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy
Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.4 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Red shift of the absorption onset in orthorhombic κ-(InxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Optical properties of cubic InxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1)
Rose, Jonas; Baron, Elias; Zscherp, Elias; Jentsch, Silas; Goldhahn, Rüdiger; Chatterjee, Sangam; Schörmann, Jörg; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - O'ahu, Hawai . - 2024, Artikel P39 [Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2024, O'ahu, Hawai'i, November 3-8, 2024]
Corrosion of ScN heated up to 900 K at ambientlab conditions
Gümpel, Jona; Baron, Elias; Bläsing, Jürgen; Hörich, Florian; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - O'ahu, Hawai . - 2024, Artikel P34 [Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2024, O'ahu, Hawai'i, November 3-8, 2024]
Highly doped nitrides - correlation between plasma frequencies and band gap shifts
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - O'ahu, Hawai . - 2024 [Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2024, O'ahu, Hawai'i, November 3-8, 2024]
Femtosecond pump-probe ellipsometry of degenerately doped cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradnik, Martin; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - O'ahu, Hawai . - 2024 [Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2024, O'ahu, Hawai'i, November 3-8, 2024]
Red shift and amplitude increase in the dielectric function of corundum-like α-(TixGa1-x)2O3
Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Smith, Emily; Stoppiello, Craig; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - Berlin . - 2024, S. 34, Artikel WEP_14 [International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, IWGO 2024, Berlin, May 26 - 31, 2024]
Red shift of the absorption onset in orthorhombic κ-(InxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - Berlin . - 2024, S. 23, Artikel MoP_39 [International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, IWGO 2024, Berlin, May 26 - 31, 2024]
Phases of sputtered HfxNy: XRD, Ellipsometry and Raman spectroscopy studies
Grümbel, Jona; Lüttich, Christopher; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.11 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Temperature dependent free carrier concentration in GaN:Si
Harms, Christina; Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 36.58 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Multiphonon Raman scattering in rocksalt ScN
Wolf, Stefan; Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.9 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Optical properties of cubic InxGa1−xN thin films
Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Zscherp, Mario; Jentsch, Silas A.; Chatterjee, Sangam; Schörmann, Jörg; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Band gaps and phonons of quasi-bulk rocksalt ScN
Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Oshima, Yuichi; Dubroka, Adam; Ramsteiner, Manfred
In: Physical review materials - College Park, MD : APS, Bd. 8 (2024), Heft 7, Artikel L071601, insges. 8 S.
Polarity in liquid crystals formed by self-assembled umbrella-shaped subphthalocyanine mesogens
Murad, Ahmad; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Baumann, Maximilian; Lehmann, Matthias; Eremin, Alexey
In: ACS applied materials & interfaces / American Chemical Society - Washington, DC : Soc., Bd. 16 (2024), Heft 19, S. 25025-25032
Blue shift of the absorption onset and bandgap bowing in rutile GexSn1−xO2
Kluth, Elias; Nagashima, Yo; Osawa, Shohei; Hirose, Yasushi; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 125 (2024), Heft 12, Artikel 122102, insges. 6 S.
Dissertation
Optische Eigenschaften von Gruppe-III Sesquioxiden und deren Legierungen
Kluth, Elias; Feneberg, Martin
In: Magdeburg: Universitätsbibliothek, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2024, 1 Online-Ressource (159 Seiten, 142,2 MB) [Literaturverzeichnis: Seite 137-159][Literaturverzeichnis: Seite 137-159]
2023
Abstract
Analysis of pump-probe absorption edge spectroscopy on cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: WSE 2023 - Prag, Artikel 06-Tu-O
Topologically-assisted self-assembly driven tilting in nematic liquid crystal hybrids with dendronised nanoparticles
Hähsler, Martin; Nadasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Geisselmann, Frank; Ermin, Alexey; Behrens, Silke
In: ICMF 2023 - Granada, S. 94, Artikel PP-OP-16
Optical properties of rocksalt ScN
Feneberg, Martin; Grümbel, Jona; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Oshima, Yuichi; Dubroka, Adam; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH2-2
Photovoltaic and nonlinear optical properties of complex self-assembled liquid crystal structures
Murad, Ahmad; Eremin, Alexey; Feneberg, Martin; Baumann, Maximilian; Lehmann, Matthias; Allasar, Mohamed
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel CPP 7.3
Temperature dependent Raman spectroscopy on GaN:Si
Harms, Christina; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 33.42
Optical properties of ScN films grown by HVPE and sputter epitaxy
Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.9
Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN
Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.10
Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN
Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: WSE 2023 - Prag, Artikel 61-We-O
Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1−x)2O3 alloys grown by MOCVD
Kluth, Elias; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 41.4
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Redshift and amplitude increase in the dielectric function of corundum-like -(TixGa1 x)2O3
Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Smith, Emily Rose; Stoppiello, Craig; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 122 (2023), Heft 9, Artikel 092101, insges. 7 S.
Time-resolved pump–probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN II - absorption edge shift with gain and temperature effects
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075703, insges. 8 S.
Time-resolved pump-probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN. I. - Determination of the dielectric function
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075702, insges. 11 S.
Determination of anisotropic optical properties of MOCVD grown m-plane α-(AlxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.; Meng, Lingyu; Bläsing, Jürgen; Zhao, Hongping; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Japanese journal of applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 62 (2023), Heft 5, Artikel 051001, insges. 8 S.
Synthesis and structural characterization of divalent transition metal alkynylamidinate complexes
Wang, Sida; Liebing, Phil; Feneberg, Martin; Sroor, Farid M.; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: European journal of inorganic chemistry - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 26 (2023), Heft 14, Artikel e202300027
Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy
Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 133 (2023), Heft 4, Artikel 045701, insges. 11 S.
Dissertation
Effekte freier Ladungsträger auf die optischen Eigenschaften von kubischem Galliumnitrid
Baron, Elias; Feneberg, Martin
In: Magdeburg: Universitätsbibliothek, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2023, 1 Online-Ressource (ix, 122 Seiten, 4,87 MB) [Literaturverzeichnis: Seite 111-121]
2022
Abstract
The polar phases of umbrella-shaped star mesogens
Lehmann, M.; Baumann, M.; Murad, Ahmad; Feneberg, Martin; Eremin, Alexey; Singh, D.; Kantorovich, Sofia
In: 28th International Liquid Crystal Conference, ILCC 2022 - Lisbon, 2022 . - 2022
Ultra-fast change of the absorption onset in undoped cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Determination of relaxation in thin InGaAs-films by Raman spectroscopy
Friedemann Schulz, Johann; Henksmeier, Tobias; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Reuter, Dirk; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Shift of the absoption onset in corundum-like α-(TixGa 1 x) 2O 3
Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Impact of growth techniques and post-growth annealing on electronic and phononic properties of -Ga2O3
Janzen, Benjamin M.; Peltason, Vivien F. S.; Hajizadeh, Níma; Hartung, Conrad; Marggraf, Marcella N.; Nippert, Felix; Gillen, Roland; Maultzsch, J.; Mazzolini, Piero; Fornari, Roberto; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Kneiß, Max; Wenckstern, Holger; Grundmann, Marius; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ardenghi, Andrea; Bierwagen, Oliver; Wagner, Markus R.
In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 206-207
Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1-x)2O3 alloys grown by MOCVD
Kluth, Elias; Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 232-233
Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradnik, Martin; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 5
Optical properties of the AlScN ternary system
Grümbel, Jona; Baron, Elias; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 263, Artikel AT 195
Remote heteroepitaxy of In(x)Ga(1-x)As on graphene covered GaAs(001) substrates
Henksmeier, Tobias; Schulz, Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, Dirk
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Magnetic tilting in ferronematic hybrid materials driven by self assembly
Eremin, Alexey; Hähsler, Martin; Nadasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke
In: 28th International Liquid Crystal Conference, ILCC 2022 - Lisbon, 2022 . - 2022
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Remote epitaxy of InxGa1-xAs (0 0 1) on graphene covered GaAs(0 0 1) substrates
Henksmeier, T.; Schulz, Johann Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Sanchez, A. M.; Voigt, M.; Grundmeier, G.; Reuter, D.
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 593 (2022)
Small compound - big colors - synthesis and structural investigation of brightly colored alkaline earth metal 1,3-dimethylviolurates
Lorenz, Volker; Liebing, Phil; Müller, Matthias; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Kühling, Marcel; Buchner, Magnus Richard; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.
In: Dalton transactions - London : Soc., Bd. 51 (2022), Heft 20, S. 7975-7985
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGax) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Bd. 6 (2021), 3, insges. 11 S., 2022
Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5
Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo
In: npj computational materials - London: Nature Publ. Group, Bd. 8 (2022), insges. 9 S.
Anharmonicity of lattice vibrations in thin film α-Ga 2O 3 investigated by temperature dependent Raman spectroscopy
Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 120 (2022), Heft 2, insges. 7 S.
Tackling disorder in γ-Ga 2O 3
Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna
In: Advanced materials - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 34 (2022), 37, insges. 15 S.
Optical properties of corundum-structured In 2O 3
Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 121 (2022), 6
Enhanced light extraction efficiency of UV LEDs by encapsulation with UV-transparent silicone resin
Wu, Shaojun; Guttmann, Martin; Lobo-Ploch, Neysha; Gindele, Frank; Susilo, Norman; Knauer, Arne; Kolbe, Tim; Raß, Jens; Hagedorn, Sylvia; Cho, Hyun Kyong; Hilbrich, Katrin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Einfeldt, Sven; Wernicke, Tim; Weyers, Markus; Kneissl, Michael
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 37 (2022), 6, insges. 6 S.
Nicht begutachteter Zeitschriftenartikel
Tackling disorder in γ-Ga2O3
Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Varley, Joel B.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 40 S.
Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 11 S.
Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy
Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver
In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2022, Artikel 2209.11678, insges. 23 S.
Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5
Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 14 S.
2021
Abstract
Free-carrier concentration and many-body effects in cubic Al xGa 1-xN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.
In: WSE 11 - Linz: Johannes Kepler University Linz, 2021 . - 2021, S. 12
Magnetic tilting in nematic liquid crystals driven by self-assembly
Hähsler, Martin; Nádasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke; Eremin, Alexey B.
In: Polarity and chirality in soft matter - Ljubljana, 2021; Vilfan, Mojca . - 2021, insges. 1 S.
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Optical evidence of many-body effects in the zincblende AlxGa1-xN alloy system
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.
In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., Volume 54 (2021), isuue 2, article 025101, 12 Seiten
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films
Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 119 (2021), 4, insges. 6 S.
Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)
Meier, F.; Protte, M.; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.
In: AIP Advances - New York, NY: American Inst. of Physics, Bd. 11 (2021), 7, insges. 7 S.
Origin of defect luminescence in ultraviolet emitting AlGaN diode structures
Feneberg, Martin; Romero, Fátima; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Reich, Christoph; Stellmach, Joachim; Mehnke, Frank; Knauer, Arne; Weyers, Markus; Kneissl, Michael
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 118 (2021), Heft 20, Artikel 202101, insges. 6 S.
Magnetic tilting in nematic liquid crystals driven by self-assembly
Hähsler, Martin; Nádasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke; Eremin, Alexey B.
In: Advanced functional materials - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 31 (2021), 31, insges. 7 S.
Nicht begutachteter Zeitschriftenartikel
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGa x) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 15 S.
Magnetic tilting in nematic liquid crystals driven by self-assembly
Hähsler, Martin; Nádasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke; Eremin, Alexey B.
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 7 S.
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films
Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred
In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2021, Artikel 2104.08092, insges. 11 S.
2020
Abstract
Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE
Grümbel, Jona; Ning, Pingfan; Bläsing, Jürgen; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef : DPG - 2020, Vortrag: HL 72.2
Phonons and free-carrier contributions of spinel ZnGa 2O 4 by spectroscopic ellipsometry
Wüthrich, Alwin; Feneberg, Martin; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 72.4
Size-effect of donors on the lattice parameters of wurtzite GaN
Kluth, Elias; Lange, Karsten; Wienecke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.3
Impact of high free-carrier concentrations on optical properties of cubic GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.1
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Polarization fields in semipolar (2021) and (2021) InGaN light emitting diodes
Freytag, Stefan; Winkler, Michael; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Rychetsky, Monir; Koslow, Ingrid L.; Kneissl, Michael; Dinh, Duc V.; Corbett, Brian; Parbrook, Peter J.; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Volume 116(2020), Issue 6, Article 062106
The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN
Kluth, Elias; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen P.; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Volume 35 (2020), issue 9, 9 Seiten
Lattice vibrations and optical properties of α-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy
Ning, Pingfan; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin
In: Semiconductor science and technology - Bristol : IOP Publ. - Volume 35 (2020), issue 9, article 095001, 7 Seiten
Rubidium and cesium enediamide complexes derived from bulky 1,4-diazadienes
Duraisamy, Ramesh; Liebing, Phil; Harmgarth, Nicole; Lorenz, Volker; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Engelhardt, Felix; Edelmann, Frank T.
In: ACS omega - Washington, DC: ACS Publications, Bd. 5 (2020), 30, S. 19061-19069
Dissertation
Optische Untersuchung von semipolaren InGaN/GaN-Quantengräben mit der Kristallorientierung (202̄1̄) und (202̄1)
Freytag, Stefan; Feneberg, Martin
In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2020, 114 Seiten [Literaturverzeichnis: Seite 101-113][Literaturverzeichnis: Seite 101-113]
2019
Abstract
Effective electron mass anisotropy in [alpha]-Ga 2O 3
Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Akaiwa, Kazuaki
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL9.2
IR-Vis-UV optical properties of [alpha]-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy
Ning, Pingfan; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Son, Hoki; Jeon, Dae-Woo; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL16.12
All-optical determination of free-carrier concentration and composition in cubic GaN and AlGaN
Baron, Elias; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL24.4
Orbital contributions to the electron g-factor in semiconductor nanowires
Winkler, Michael; Brähmer, Hagen; Feneberg, Martin; Esser, Norbert; Monroy, Eva; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL31.6
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Photoluminescence line shape analysis of highly ntype doped zincblende GaN
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH . - 2019, insges. 5 S.
Anisotropic optical properties of highly doped rutile SnO 2 - valence band contributions to the Burstein-Moss shift
Feneberg, Martin; Lidig, Christian; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger
In: APL materials - Melville, NY : AIP Publ. - Vol. 7.2019, 2, Art. 022508
Anisotropic phonon properties and effective electron mass in α-Ga 2O 3
Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Sekiyama, Takahito; Ota, Katsuya; Akaiwa, Kazuaki; Ichino, Kunio; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 114.2019, 4, Art. 142102, insgesamt 5 Seiten
Influence of the free-electron concentration on the optical properties of zincblende GaN up to 1×10 20cm -3
Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Volume 3 (2019), Issue 10, Article 104603, insgesamt 11 Seiten
Catenated and spirocyclic polychalcogenides from potassium carbonate and elemental chalcogens
Liebing, Phil; Kühling, Marcel; Swanson, Claudia; Feneberg, Martin; Hilfert, Liane; Goldhahn, Rüdiger; Chivers, Tristram; Edelmann, Frank T.
In: Chemical communications - Cambridge: Soc., Bd. 55 (2019), 99, S. 14965-14967
2018
Abstract
Plasmonic properties of degenerately Ge-Doped Cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 36
Characterization of the dielectric function of RScO3 type scandates
Kuznetsov, Sergey; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. DS 3.10
Structural, optical and electronic properties of single-crystalline (In1-xGax)2O3 thin films in the low-x bixbyite phase end
Papadogianni, Alexandra; Nagata, Takahiro; Wouters, Charlotte; Albrecht, Martin; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver
In: 7th International Symposium Transparent Conductive Materials, E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors: 14-19 October 2018, Crete, Greece ; Abstract book - TCM, 2018, 2018, TCM-O45.ID-10, S. 171
Optical properties of metastable polytypes of Ga2O3
Feneberg, Martin
In: SPIE Photonics West: San Francisco, USA, 27 January - 1 February 2018 - SPIE, 2018 . - 2018[Konferenz: Optoelectronics, Photonic Materials and Devices Conference, OPTO, San Francisco, USA, 27.01.-01.02. 2018]
Revision of the TO phonon frequencies in wurtzite and zincblende GaN
Feneberg, Martin; Baron, Elias; Kluth, Elias; Lange, Karsten; Donat, As; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018
Optical properties of transparent conducting oxides from mid-infrared to vacuum-ultraviolet
Feneberg, Martin
In: E-MRS 2018 Fall Meeting, Symposium R: New frontiers in wide-bandgap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing - eMSR, 2018, 2018, Art. R. 10.7[E-MRS 2018 fall meeting, Warsaw, 17 - 20 September 2018]
Influence of many-body effects on optical properties of III-Nitrides
Feneberg, Martin
In: Reliable and quantitative prediction of defect properties in Ga-based semiconductors: October 8-12, 2018 - CECAM, 2018 . - 2018
Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20eV
Winkler, Michael; Feneberg, Martin; Chichibu, Shigefusa F.; Collazo, Ramón; Sitar, Zlatko; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Goldhahn, Rüdiger
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.10
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Ordinary dielectric function of corundumlike α Ga 2O 3 from 40 meV to 20 eV
Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Artús, Lluis; Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review materials - College Park, MD : APS - Vol. 2.2018, 4, Art. 044601
Anisotropic optical properties of metastable (0112)α Ga2O3 grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Kracht, M.; Karg, A.; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Schörmann, J.; Goldhahn, Rüdiger; Eickhoff, M.
In: Physical review applied - College Park, Md. [u.a.] : American Physical Society - Vol. 10.2018, 2, Art. 024047
Valence band tomography of wurtzite GaN by spectroscopic ellipsometry
Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Lange, Karsten; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics express: APEX - Tokyo: Ōyō Butsuri-Gakkai, Vol. 11.2018, 10, Art. 101001
Structural, optical, and electrical properties of unintentionally doped NiO layers grown on MgO by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Budde, Melanie; Tschammer, Carsten; Franz, Philipp; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Barsan, Nicolae; Oprea, Alexandru; Bierwagen, Oliver
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics - Vol. 123.2018, 19, Art. 195301, insgesamt 19 S.
Optical properties of In 2O 3 from experiment and first-principles theory - influence of lattice screening
Schleife, André; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Galazka, Zbigniew; Gottwald, Alexander; Nixdorf, Jakob; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: New journal of physics - [Bad Honnef] : Dt. Physikalische Ges. - Vol. 20.2018, Art. 053016, insgesamt 13 S.
2017
Abstract
Effective electron mass in cubic GaN
Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2017, Artikel HL 50.2
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Structural and optical characterization of AlGaN multiple quantum wells grown on semipolar (20-21) bulk AlN substrate
Wunderer, Thomas; Yang, Zhihong; Feneberg, Martin; Batres, Max; Teepe, Mark; Johnson, Noble
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Vol. 11.2017, 11, Art. 111101
Band gap of corundumlike α-Ga 2O 3 determined by absorption and ellipsometry determined by absorption and ellipsometry
Segura, A.; Artús, L.; Cuscó, R.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 1.2017, 2, Art. 024604
2016
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Dominance of radiative recombination from electron-beam-pumped deep-UV AlGaN multi-quantum-well heterostructures
Tabataba-Vakili, Farsane; Wunderer, Thomas; Kneissl, Michael; Yang, Zhihong; Teepe, Mark; Batres, Max; Feneberg, Martin; Vancil, Bernard; Johnson, Noble M.
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 109.2016, 18, Art. 181105
Erratum: Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Vol. 93.2016, 23, Art. 239905
Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures
Minj, A.; Romero, M. F.; Wang, Y.; Tuna, Ö.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schmerber, G.; Ruterana, P.; Giesen, C.; Heuken, M.
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 109.2016, 22, Art. 221106
Oxygen vacancies induced DX center and persistent photoconductivity properties of high quality ZnO nanorods
Xie, Yong; Madel, Manfred; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Jie, Wanqi; Hao, Yue; Ma, Xiaohua; Thonke, Klaus
In: Materials Research Express : MRX. - Bristol : IOP Publ; Vol. 3.2016, 4, Art. 045011, insgesamt 7 S.
Optical properties of the organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 - theory and experiment
Demchenko, D. O.; Izyumskaya, N.; Feneberg, Martin; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Goldhahn, Rüdiger; Morkoç, H.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 94 (2016), 7
Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy
Freytag, Stefan; Feneberg, Martin; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Callsen, Gordon; Hoffmann, Axel; Bokov, Pavel; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 120.2016, 1, Art. 015703
Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO
Neumann, M. D.; Esser, N.; Chauveau, J.-M.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 108.2016, 22, Art. 221105, insgesamt 6 S.
Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2 O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 93 (2016), 4
2015
Buchbeitrag
Optical properties and band structure of highly doped gallium nitride
Goldhahn, Rüdiger; Lange, Karsten; Feneberg, Martin
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, Vol. 9363.2015, Art. 93630G
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
Bokov, P. Yu.; Brazzini, T.; Romero, M. F.; Calle, F.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Semiconductor science and technology: devoted exclusively to semiconductor research and applications - Bristol: IOP Publ, Vol. 30.2015, 8, Art. 085014, insgesamt 6 S.
Electrical transport properties of Ge-doped GaN nanowires
Schäfer, M.; Günther, M.; Länger, C.; Müßener, J.; Feneberg, Martin; Uredat, P.; Elm, M. T.; Hille, P.; Schörmann, J.; Teubert, J.; Henning, T.; Klar, P. J.; Eickhoff, M.
In: Nanotechnology - Bristol: IOP Publ, Vol. 26.2015, 13, Art. 135704, insgesamt 9 S.
Optical properties of defects in nitride semiconductors
Tischer, Ingo; Hocker, Matthias; Neuschl, Benjamin; Madel, Manfred; Feneberg, Martin; Schirra, Martin; Frey, Manuel; Knab, Manuel; Maier, Pascal; Wunderer, Thomas; Leute, Robert A. R.; Wang, Junjun; Scholz, Ferdinand; Biskupek, Johannes; Bernhard, Jörg; Kaiser, Ute; Simon, Ulrich; Dieterle, Levin; Groiss, Heiko; Müller, Erich; Gerthsen, Dagmar; Thonke, Klaus
In: Journal of materials research: JMR - Warrendale, Pa: MRS, insges. 14 S., 2015
Zeeman spectroscopy of the internal transition 4 T 1 to 6 A 1 of Fe 3+ ions in wurtzite GaN
Neuschl, Benjamin; Gödecke, Laura; Thonke, Klaus; Lipski, Frank; Klein, Martin; Scholz, Ferdinand; Feneberg, Martin
In: Journal of applied physics: AIP's archival journal for significant new results in applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 118.2015, 21, Art. 215705, insgesamt 11 S.
Strongly transverse-electric-polarized emission from deep ultraviolet AlGaN quantum well light emitting diodes
Reich, Christoph; Guttmann, Martin; Feneberg, Martin; Wernicke, Tim; Mehnke, Frank; Kuhn, Christian; Rass, Jens; Lapeyrade, Mickael; Einfeldt, Sven; Knauer, Arne; Kueller, Viola; Weyers, Markus; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 107.2015, 14, Art. 142101, insgesamt 6 S.
Exciton luminescence in AlN triggered by hydrogen and thermal annealing
Feneberg, Martin; Son, Nguyen Tien; Kakanakova-Georgieva, Anelia
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, Art. 242101, insgesamt 5 S.
Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/Al x Ga 1- x N double quantum wells
Wecker, T.; Hörich, Florian; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 873-878
Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire
Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Klamser, Juliane; Stellmach, Joachim; Frentrup, Martin; Ploch, Simon; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, 18, Art. 182102, insgesamt 5 S.
Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN
Gridneva, E.; Richter, E.; Feneberg, Martin; Weyers, M.; Goldhahn, Rüdiger; Tränkle, G.
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 1180-1188
2014
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to 1020 cm-3
Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Richter, Eberhard; Netzel, Carsten; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Fritze, Stephanie; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 90.2014, 7, Art. 075203, insgesamt 10 S.
Nanoscale characterisation of semiconductors by cathodoluminescence
Thonke, K.; Tischer, I.; Hocker, M.; Schirra, M.; Fujan, K.; Wiedenmann, M.; Schneider, R.; Frey, M.; Feneberg, Martin
In: IOP conference series. - London [u.a.] : Institute of PhysicsIOP conference series / Materials science and engineering; Vol. 55.2014, Art. 012018, insgesamt 21 S.
Composition dependent valence band order in c-oriented wurtzite AlGaN layers
Neuschl, B.; Helbing, J.; Knab, M.; Lauer, H.; Madel, M.; Thonke, K.; Meisch, T.; Forghani, K.; Scholz, F.; Feneberg, Martin
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 116.2014, 11, Art. 113506, insgesamt 9 S.
Anisotropy of the electron effective mass in rutile SnO2 determined by infrared ellipsometry
Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 211.2014, 1, S. 82-86
Temperature dependent dielectric function and reflectivity spectra of nonpolar wurtzite AlN
Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Vol. 571.2014, part 3, S. 502-595
Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (1122) AlGaN layers
Netzel, Carsten; Stellmach, Joachim; Feneberg, Martin; Frentrup, Martin; Winkler, Michael; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael; Weyers, Markus
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, 5, Art. 051906
Optical properties of magnesium doped Al x Ga1 x N (0.61 ≤ x ≤ 0.73)
Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Romero, María Fátima; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Yan, Jianchang; Zeng, Jianping; Wang, Junxi; Li, Jinmin
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2014, Art. 143103, insgesamt 8 S.
Ordinary and extraordinary dielectric functions of rutile SnO2 up to 20 eV
Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Bierwagen, Oliver; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, Art. 231106, insgesamt 5 S.
2013
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions
Neuschl, B.; Thonke, K.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Wunderer, T.; Yang, Z.; Johnson, N. M.; Xie, J.; Mita, S.; Rice, A.; Collazo, R.; Sitar, Z.
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 12, Art. 122105, insgesamt 5 S.
Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN
Feneberg, Martin; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 23, Art. 232104, insgesamt 5 S.
Excitonic recombination in epitaxial lateral overgrown AlN on sapphire
Reich, Christoph; Feneberg, Martin; Kueller, Viola; Knauer, Arne; Wernicke, Tim; Schlegel, Jessica; Frentrup, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Weyers, Markus; Kneissl, Michael
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 21, Art. 212108, insgesamt 5 S.
Anisotropic absorption and emission of bulk (1-100) AlN
Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2012, 23, Art. 235209, insgesamt 9 S., 2013
Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 10 20 cm -3
Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Feneberg, Martin; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Krost, Alois
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art. 012103, insgesamt 4 S.
Studies on defect reduction in AlGaN heterostructures by integrating an in-situ SiN interlayer
Scholz, Ferdinand; Forghani, Kamran; Klein, Martin; Klein, Oliver; Kaiser, Ute; Neuschl, Benjamin; Tischer, Ingo; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Lazarev, Sergey; Bauer, Sondes; Baumbach, Tilo
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08JJ07, insgesamt 4 S.
Impact of AlN Spacer on metalsemiconductormetal PtInAlGaN/GaN heterostructures for ultraviolet detection
Brazzini, Tommaso; Pandrey, Saurabh; Romero, María Fátima; Bokov, Pavel Yu.; Feneberg, Martin; Tabares, Gema; Cavallini, Anna; Goldhahn, Rüdiger; Calle, Fernando
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk04, insgesamt 4 S.
Systematic optical characterization of two-dimensional electron gases in InAlN/GaN-based heterostructures with different in content
Romero, María Fátima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus; Calle, Fernando; Goldhahn, Rüdiger
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, Vol. 52.2013, Art. 08jk02, insgesamt 4 S.
Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN
Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 102.2013, 5, Art. 052112, insgesamt 4 S.
Transition energies and direct-indirect band gap crossing in zinc-blende Al_{x}Ga_{1 x}N
Landmann, M.; Rauls, E.; Schmidt, W. G.; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2013, 19, Art. 195210, insgesamt 21 S.
Habilitation
Hochauflösende Emissions- und Absorptionsspektroskopie an Halbleitern mit großer Bandlücke
Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2013, II, 49 S., graph. Darst., 30 cm
2012
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Silicon-on-insulator based ZnO nanowire photodetector
Xie, Yong; Madel, Manfred; Neuschl, Benjamin; Jie, Wanqi; Röder, Uwe; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus
In: Journal of vacuum science & technology. - New York, NY : InstJournal of vacuum science & technology / B, Bd. 30.2012, 6, insges. 5 S.
Growth-induced stacking faults of ZnO nanorods probed by spatial resolved cathodoluminescence
Xie, Yong; Jie, Wan-Qi; Wang, Tao; Wiedenmann, Michael; Neuschl, Benjamin; Madel, Manfred; Wang, Ya-Bin; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus
In: Chinese physics letters. - Bristol : IOP Publ, Bd. 29.2012, 7, insges. 5 S.
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
Romero, Maria Fatima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, E.; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.
Suppression of gallium inhomogeneity in ZnO nanostructures on GaN using seed layers
Xie, Yong; Jie, Wanqi; Reiser, Anton; Feneberg, Martin; Tischer, Ingo; Wiedenmann, Michael; Madel, Manfred; Frey, Reinhard; Roeder, Uwe; Thonke, Klaus
In: Materials letters. - New York, NY [u.a.] : Elsevier, Bd. 83.2012, S. 31-34
Enforced c-axis growth of ZnO epitaxial chemical vapor deposition films on a-plane sapphire
Xie, Yong; Madel, Manfred; Zoberbier, Thilo; Reiser, Anton; Jie, Wanqi; Neuschl, Benjamin; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 18, insges. 4 S.
Optical identification of silicon as a shallow donor in MOVPE grown homoepitaxial AlN
Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Feneberg, Martin; Mita, Seiji; Xie, Jinqiao; Dalmau, Rafael; Collazo, Ramón; Sitar, Zlatko
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, Bd. 249.2012, 3, S. 511-515
Optical properties of cubic GaN from 1 to 20 eV
Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schörmann, Jörg; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, 85.2012, 15, Art. 155207, insgesamt 7 S.
Growth of AlN bulk crystals on SiC seeds - chemical analysis and crystal properties
Bickermann, Matthias; Filip, Octavian; Epelbaum, Boris M.; Heimann, Paul; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Wedler, Elke; Winnacker, Albrecht
In: Journal of crystal growth. - Amsterdam : North-Holland Publ. Co, Bd. 339.2012, 1, S. 13-21
2011
Buchbeitrag
Photoluminescence of ZnO - basics and applications
Thonke, Klaus; Feneberg, Martin
In: Handbook of luminescent semiconductor materials - Boca Raton, Fla: CRC Press/Taylor & Francis, S. 87-124, 2011
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
I 2 basal plane stacking fault in GaN - origin of the 3.32 eV luminescence band
Tischer, Ingo; Feneberg, Martin; Schirra, Martin; Yacoub, Hady; Sauer, Rolf; Thonke, Klaus; Wunderer, Thomas; Scholz, Ferdinand; Dieterle, Levin; Müller, Erich; Gerthsen, Dagmar
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, Bd. 83.2011, 3, S. 035314-1-035314-6
Optical properties of MgZnO alloys - excitons and exciton-phonon complexes
Neumann, M. D.; Cobet, C.; Esser, N.; Laumer, B.; Wassner, T. A.; Eickhoff, M.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013520, insgesamt 8 S.
Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge
Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.
Catalytic growth of hexagonally aligned ZnO nanorods
Madel, Manfred; Xie, Yong; Tischer, Ingo; Neuschl, Benjamin; Feneberg, Martin; Frey, Reinhard; Thonke, Klaus
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 8, S. 1915-1918
Molecular beam epitaxy based growth of cubic GaN quantum dots
Schupp, Thorsten; Meisch, Tobias; Neuschl, Benjamin; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Lischka, Klaus; As, Donat Josef
In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 8.2011, 5, S. 1495-1498
Growth and characterization of AlN and AlGaN epitaxial films on AlN single crystal Substrates
Dalmau, R.; Moody, B.; Schlesser, R.; Mita, S.; Xie, J.; Feneberg, Martin; Neuschl, B.; Thonke, K.; Collazo, R.; Rice, A.; Tweedie, J.; Sitar, Z.
In: Journal of the Electrochemical Society - Pennington, NJ: Electrochemical Society, 158.2011, 5, S. H530-H535
Synchrotron-based photoluminescence excitation spectroscopy applied to investigate the valence band splittings in AlN and Al 0.94Ga 0.06N
Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Neuschl, Benjamin; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Goldhahn, Rüdiger
In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021903, insgesamt 3 S.
Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN
Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Collazo, Ramón; Rice, Anthony; Sitar, Zlatko; Dalmau, Rafael; Xie, Jinqiao; Mita, Seiji; Goldhahn, Rüdiger
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1520-1522
Light-emitting diode based on mask- and catalyst-free grown N-polar GaN nanorods
Kunert, G.; Freund, W.; Aschenbrenner, T.; Kruse, C.; Figge, S.; Schowalter, M.; Rosenauer, A.; Kalden, J.; Sebald, K.; Gutowski, J.; Feneberg, Martin; Tischer, I.; Fujan, K.; Thonke, K.; Hommel, D.
In: Nanotechnology - Bristol: IOP Publishing Ltd., 22.2011, 26, Art. 265202, insgesamt 6 S.
Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, T.; Feneberg, Martin; Lipski, F.; Wang, J.; Leute, R. A. R.; Schwaiger, S.; Thonke, K.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, G. J.; Jetter, M.; Michler, P.; Schade, L.; Vierheilig, C.; Schwarz, U. T.; Dräger, A. D.; Hangleiter, A.; Scholz, F.
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 549-560
Stacking fault-related luminescence features in semi-polar GaN
Tischer, Ingo; Feneberg, Martin; Schirra, Martin; Yacoub, Hady; Sauer, Rolf; Thonke1, Klaus; Wunderer, Thomas; Scholz, Ferdinand; Dieterle, Levin; Müller, Erich; Gerthsen, Dagmar
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 611-615
Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge
Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.
In-situ deposited SiNx nanomask for crystal quality improvement in AlGaN
Forghani, Kamran; Gharavipour, Mohammadreza; Klein, Martin; Scholz, Ferdinand; Klein, Oliver; Kaiser, Ute; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus
In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 8.2011, 7/8, S. 2063-2065
Zinc-blende GaN quantum dots grown by vaporliquidsolid condensation
Schupp, T.; Meisch, T.; Neuschl, B.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Lischka, K.; As, D. J.
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 323.2011, 1, S. 286-289
2010
Buchbeitrag
Transparent microelectrode array in diamond technology
Gao, Z.; Carabelli, V.; Carbone, E.; Colombo, E.; Dipalo, M.; Manfredotti, C.; Pasquarelli, A.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Vittone, E.; Kohn, E.
In: 2009 IEEE International Conference on Nano/Molecular Medicine and Engineering . - IEEE, ISBN 978-1-424-45528-7, S. 282-285; AbstractKongress: NanoMed; (Tainan) : 2009.10.18-21
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Light emission from nanocrystalline silicon clusters embedded in silicon dioxide - role of the suboxide states
Romanyuk, Andriy; Melnik, Viktor; Olikh, Yaroslav; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Oelhafen, Peter
In: Journal of luminescence . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 130.2010, 1, S. 87-91
Cathodoluminescence of GaInN quantum wells grown on nonpolar a plane GaN: Intense emission from pit facets
Fujan, Kim J.; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Meisch, T.; Tischer, Ingo; Thonke, Klaus; Schwaiger, Stephan; Izadi, Ida; Scholz, Ferdinand; Lechner, Lorenz; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute
In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 97.2010, 10, insges. 3 S.
Droplet epitaxy of zinc-blende GaN quantum dots
Schupp, Thorsten; Meisch, Tobias; Neuschl, Benjamin; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Lischka, Klaus; As, Donat J.
In: Journal of crystal growth . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 312.2010, 21, S. 3235-3237
High-excitation and high-resolution photoluminescence spectra of bulk AlN
Feneberg, Martin; Leute, Robert A. R.; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias
In: Physical review . - Ridge, NY : APS, Bd. 82.2010, 7, insges. 8 S.
Piezoelectric polarization of semipolar and polar GaInN quantum wells grown on strained GaN templates
Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Wunderer, Thomas; Lipski, Frank; Scholz, Ferdinand
In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 107.2010, 10, insges. 6 S.
The role of stacking faults and their associated 0.13 eV acceptor state in doped and undoped ZnO layers and nanostructures
Thonke, Klaus; Schirra, Martin; Schneider, Raoul; Reiser, Anton; Prinz, Günther M.; Feneberg, Martin; Sauer, Rolf; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 247.2010, 6, S. 1464-1468
Deep-UV transparent bulk single-crystalline AlN substrates
Bickermann, Matthias; Epelbaum, Boris M.; Filip, Octavian; Heimann, Paul; Feneberg, Martin; Nagata, Shunro; Winnacker, Albrecht
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Abstract
GaInN-based LED structures on selectively grown semi-polar crystal facets
Scholz, Ferdinand; Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, 2010
Quaternary Al xIn yGa 1-x-yN layers deposited by pulsed metal-organic vapor-phase epitaxy for high efficiency light emission
Jetter, M.; Wächter, C.; Meyer, A.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Michler, P.
In: Journal of crystal growth . - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, insges. 4 S.; Abstract
High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiN x interlayers
Forghani, K.; Klein, M.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Hertkorn, J.; Leute, R. A. R.; Scholz, F.; Feneberg, Martin; Neuschl, B.; Thonke, K.; Klein, O.; Kaiser, U.; Gutt, R.; Passow, T.
In: Journal of crystal growth . - Amsterdam [u.a.] : Elsevier; Abstract
Cathodoluminescence and photoluminescence study on AlGaN layers grown with SiN x interlayers
Neuschl, B.; Fujan, K. J.; Feneberg, Martin; Tischer, I.; Thonke, K.; Forghani, K.; Klein, M.; Scholz, F.
In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 97.2010, 19, S. 192108-1-192108-3
Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Lipski, Frank; Wang, Junjun; Leute, Robert; Schwaiger, Stephan; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, Gareth; Jetter, Michael; Michler, Peter; Schade, Lukas; Vierheilig, Clemens; Schwarz, Ulrich; Dräger, Alexander; Hangleiter, Andreas; Scholz, Ferdinand
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, insges. 12 S., 2010
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Growth and characterization of AlN and AlGaN epitaxial films on AlN single crystal substrates
Dalmau, Rafael; Moody, Baxter; Schlesser, Raoul; Mita, Seiji; Xie, Jinqiao; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Collazo, Ramón; Rice, Anthony; Tweedie, James; Sitar, Zlatko
In: State-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52) . - Pennington, NJ : Electrochemical Soc., ISBN 978-1-607-68182-3, S. 43-54; ECS transactions; 33,13Kongress: SOTAPOCS; 52 (Las Vegas) : 2010.10.10-15
Growth of cubic GaN quantum dots
Schupp, T.; Meisch, T.; Neuschl, B.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Lischka, K.; As, D.
In: 2010 wide bandgap cubic semiconductors: from growth to devices. - Melville, NY : American Inst. of Physics, S. 165-168 - (AIP conference proceedings; 1292)Kongress: E-MRS Symposium F; (Strasbourg) : 2010.06.08-10
2006
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Investigations on local Ga and In incorporation of GaInN quantum wells on facets of selectively grown GaN stripes
Neubert, B.; Habel, F.; Brückner, P.; Scholz, F.; Schirra, M.; Feneberg, M.; Thonke, K.; Riemann, Till; Christen, Jürgen; Beer, M.; Zweck, J.; Moutchnik, G.; Jetter, M.
In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 3 (2006), 6, S. 1587-1590
Investigations on local Ga and In incorporation of GaInN quantum wells on facets of selectively grown GaN stripes
Neubert, B.; Habel, F.; Brückner, P.; Scholz, F.; Schirra, M.; Feneberg, M.; Thonke, K.; Riemann, Till; Christen, Jürgen; Beer, M.; Zweck, J.; Moutchnik, G.; Jetter, M.
In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 3 (2006), 6, S. 1587-1590
Aktuelle Projekte
Entwicklung neuer Übergangsmetall-Gruppe-III-Nitrid Halbleiterschichten für die Mikroelektronik
Laufzeit: 01.01.2024 bis 31.12.2027
Ziel des Projekts ist die Entwicklung neuer Materialien und Materialkombinationen mit halbleitenden Eigenschaften und für den Einsatz als leitfähige Pufferschichten für Halbleiterbauelemente. Dies erfordert eine systematische Untersuchung der Materialeigenschaften mittels Röntgendiffraktometrie, Ellipsometrie, Ramanstreuung, Photolumineszenzuntersuchungen und elektrischen Messungen. Dazu erfolgt die Weiterentwicklung des Verfahrens der Sputterepitaxie. Durch dieses Verfahren werden viele neue Materialkombinationen erst möglich bzw. die Untersuchung vielfältiger Materialien ohne extreme Kosten möglich. Diese Entwicklung geschieht zum Teil in Verbindung mit dem etablierten Wachstumsverfahren der metallorganischen Gasphasenepitaxie für erste Demonstratoren.
Entwicklung neuer Übergangsmetall-Gruppe-III-Nitrid Halbleiterschichten für die Mikroelektronik
Laufzeit: 01.01.2024 bis 31.12.2027
Ziel ist die Entwicklung neuer Materialien und Materialkombinationen mit halbleitenden Eigenschaften und für den Einsatz als Pufferschichten für Halbleiterbauelemente. Dies erfordert eine systematische Untersuchung der Materialeigenschaften mittels Röntgendiffraktometrie, Ellipsometrie, Ramanstreuung, Photolumineszenzuntersuchungen und elektrischen Messungen. Dazu erfolgt die Weiterentwicklung des Verfahrens der Sputterepitaxie das bislang außer in Japan weltweit in den Kinderschuhen steckt.
Durch dieses Verfahren werden viele neue Materialkombinationen erst möglich bzw. die Untersuchung vielfältiger Materialien ohne extreme Kosten möglich. Diese Entwicklung geschieht zum Teil in Verbindung mit dem etablierten Wachstumsverfahren der metallorganischen Gasphasenepitaxie für erste Demonstratoren.
Koordinationschemie von Übergangsmetallen mit Alkinylamidinat-Liganden
Laufzeit: 01.01.2020 bis 31.12.2026
Anionische Amidinat-Liganden des Typs [RC(NR')2]- sind mittlerweile als unverzichtbare Tools in der Koordinationschemie nahezu aller metallischer Elemente im Periodensystem fest etabliert. Sie ermöglichen sowohl die Synthese neuer Homogenkatalysatoren als auch das Design flüchtiger Precursoren für ALD- und CVD-Verfahren in der Materialwissenschaft (z.B. Phasenwechsel- und Halbleitermaterialien). Ziel dieses Forschungsvorhabens ist die Erforschung von Alkinylamidinat-Liganden in der Koordinationschemie der Übergangsmetalle.
Synthese und Struktur von Polysulfiden
Laufzeit: 01.01.2019 bis 31.12.2025
Ziel des Projects ist die Synthese und vollständige Charakterisierung (IR, Raman, NMR, Elementaranalyse) von Polysulfid-Anionen und ihren Metall-Komplexen. Besonderes Augenmerk liegt dabei auf der strukturellen Charakterisierung mittels Einkristall-Röntgenstrukturanalyse.
Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittets Sputterepitaxie für elektronische Anwendungen
Laufzeit: 17.08.2021 bis 16.08.2025
Goal of this project is to identify specific TM-group-III-N layers with epitaxial quality for a potential application in group-III-nitride electronics. For this we will first study the properties of pure and alloyed group-IIIb-, -IVb-, and -Vb-nitrides (Cr, V, Ti, Sc, Nb, Zr, Ta, Hf) with AlN and in some cases also with GaN. This will result in a database of material parameters, namely crystal structure, lattice parameter, electrical and optical properties for a wide range of compositions.
Their potential should be then evaluated within the framework of thin films applied as active layers, i.e. for polarization optimization in HEMTs, novel HEMT structures as, for example, GaN/ScN/GaN binary high mobility electron channels or as thicker films for an application as highly conductive buffer layer and electrically conducting strain engineering layers, enabling true vertical electronic devices on Si substrates. For the latter pure TMN alloys or TMN alloys with AlN are the most promising candidates, while for active layers, apart from binary TMN layers, also alloys with GaN are interesting.
Abgeschlossene Projekte
Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Laufzeit: 01.07.2020 bis 30.06.2024
Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).
Ellipsometriemessungen für UV-transparente Materialien
Laufzeit: 01.04.2019 bis 31.12.2023
Materialien für die Verkapselung von UV-Leuchtdioden müssen neben UV-Transparenz auch einen definierten und reproduzierbar einstellbaren Brechungsindex aufweisen, um technologisch interessant zu sein. In diesem Projekt werden verschiedene Kandidatenmaterialien für die Verkapselung von nitridischen UV-Leuchtdioden mit spektroskopischer Ellipsometrie grundcharakterisiert. Dabei werden Brechungsindex und Absorptionskoeffizient der Materialien bestimmt.
Übergangsmetall-nitrid-AIGaN Schichten mittels Sputterepitaxie
Laufzeit: 01.01.2022 bis 31.12.2023
Um weitere Verbesserungen in der GaN-Leistungselektronik zu
erzielen und neue Bauelementstrukturen sowie Bauelementdesigns
zu ermöglichen, werden wir Übergangsmetallnitride, deren
Legierungen sowie deren Legierungen mit AlN und GaN untersuchen.
Dies mit dem Ziel, eine echte, voll vertikale Elektronik auf
kostengünstigen Siliziumsubstraten und normally-off high electron
mobility Transistoren (HEMT) mit höherer Stromdichte und damit
kompakterer Bauweise als bisher zu ermöglichen. Darüber hinaus
werden wir eine neue Wachstumsmethode anwenden, die gepulste
Sputter-Epitaxie, mit der hochwertige GaN-Schichten bei
Temperaturen unter 800 °C gezüchtet werden können, womit sich ein
großes Potenzial für die Si-CMOS-Integration der GaN-Elektronik
eröffnet. Um neue Materialien zu identifizieren, die geeignet sind,
leitende Pufferschichten für die anschließende GaN-Epitaxie zu
erzielen, sowie neue oder bessere Funktionalitäten von
Bauelementen der Gruppe-III-nitride zu erreichen, werden wir
Übergangsmetallnitride (TM) sowie deren Legierungen mit AlN und
GaN, auf ihr Potenzial für elektronische Anwendungen der Gruppe-IIINitride
untersuchen. Dazu werden zunächst die Eigenschaften von
reinen und legierten Gruppe-IIIb-IVb- und Vb-Nitriden (Cr, V, Ti, Sc,
Nb, Zr, Ta, Hf) mit AlN und in einigen Fällen auch mit GaN untersucht.
Unser Ziel ist eine Datenbasis mit Kristallstruktur, Gitterparametern,
elektrischen und optischen Eigenschaften für eine Vielzahl von
Zusammensetzungen. Im Detail wird das Potenzial dann an dünnen
Schichten für die Anwendung als aktive Schicht in elektronischen
Bauelementen untersucht werden, z.B. zur Polarisationsoptimierung
in HEMTs oder für neuartige HEMT-Strukturen, z.B. mit binären,
hochleitfähigen GaN / ScN / GaN-Kanälen oder als dickere,
hochleitfähige Pufferschicht oder auch als elektrisch leitende,
rissvermeidende Schichten, die echte vertikale, elektronische
Bauelemente auf Si-Substraten ermöglichen soll. Für letztere sind
reine TMN-Legierungen oder TMN-Legierungen mit AlN die
vielversprechendsten Kandidaten, während für aktive Schichten
neben binären TMN-Schichten auch Legierungen mit GaN interessant
sind. Aufgrund der bislang bekannten Eigenschaften der TMNs
erwarten wir, dass sowohl vollständig vertikale Bauelemente auf Si als
auch bessere HEMT-Bauelemente erzielbar sind und zu einer
weiteren Erhöhung der Leistungsdichte von GaN basierten
Bauelementen führen wird.
Das Parameter-Projekt
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2022
Ziel des Projekts ist die experimentelle Bestimmung fundamentaler Parameter und der Bandstruktur moderner Halbleitermaterialien. Im Fokus stehen vor allem Galliumnitrid (GaN), sowohl in der wurtzit als auch in der zinkblende Modifikation, Indiumoxid (In2O3), aber auch weitere Nitride und Oxide.
Neben der Bandlücke, sind die wichtigsten Parameter jedes Halbleiters die effektiven Massen von Elektronen und Löchern. Überraschenderweise sind diese bislang nur sehr ungenau bekannt. Das Parameter-Projekt setzt es sich zum Ziel, möglichst umfassend diese und weitere Materialparameter zu bestimmen. Neben einer genauen Charakterisierung der untersuchten Systeme ist die Methodenentwicklung ein zentralen Bestandteil der Arbeiten. Die verwendeten Techniken sollen universell einsetzbar sein und sich prinzipiell auf verschiedenste Materialsysteme übertragen lassen.
Synthese und Charakterisierung von Polysulfiden
Laufzeit: 01.01.2019 bis 31.12.2022
Polysulfidanionen und ihre Metallkomplexe werden synthetisiert und grundlegend charakterisiert. Dabei kommen Ramanspektroskopie, Infrarotspektroskopie, NMR, Elementaranalyse und Röntgenbeugung zur Strukturaufklärung zum Einsatz.
Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx
Laufzeit: 01.07.2016 bis 30.06.2020
Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).
Fundamentale Eigenschaften hochdotierter III-Nitridhalbleiter
Laufzeit: 01.01.2014 bis 31.08.2016
Die technologisch, wissenschaftlich und kommerziell extrem wichtige II-Nitrid Halbleiterfamilie erlaubt die Herstellung von p-dotiertem, undotiertem (semi-isolierenden) bis zu hoch n-dotiertem Material. Die optischen Eigenschaften sind stark abhängig von der Dotierung. In diesem Projekt werden grundlegende Zusammenhänge zwischen Dotierung und linearer optischer Antwort systematisch untersucht. Das fängt bei der effektiven Elektronmasse an, schließt die Phonon-Plasmon Kopplung mit ein und reicht bis zur Abhängigkeit der Absorptionskante von den wechselseitig wirkenden Mechanismem Renormierung und Bandauffüllung.
Homoepitaktisches AlN - Emission und Absorption
Laufzeit: 01.01.2014 bis 31.12.2015
Der hochlückige Halbleiter AlN (Eg ~ 6 eV) hat in letzter Zeit enorme Qualitätsverbesserungen erfahren, was vor allem der Verfügbarkeit von AlN Einkristallen geschuldet ist. In diesem Projekt werden mit einem Vergelich von Photolumineszenz und Spektroskopischer Ellipsometrie Zuordnungen von Emissionsbanden ermöglicht. Das Ziel ist es, insbesondere Defektlumineszenzbeiträge eindeutig chemisch zu identifizieren um wiederum die Probenqualität weiter verbessern zu können und das Verständnis des Halbleitermaterials voranzubringen. Dafür werden vor allem homoepitaktische Dünnfilme, die mit verschiedenen Wachstumsbedingungen und in verschiedenen Laboratorien hergestellt wurden untersucht.
Thermal Assessment of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors
Laufzeit: 13.01.2014 bis 12.05.2014
Ein besonders vielversprechender neuartiger Transistortyp (AlInN HEMT) erlaubt z.B. höhere Stromdichten als herkömmliche Strukturen. Die Betriebssicherheit dieses Transistortyps ist bislang nicht ausreichend untersucht und soll mittels Vergleichen von Transistor-Kennlinien zu bildgebenden thermischen Verfahren analysiert werden. Insbesondere wird Raman-Spektroskopie zum Einsatz kommen.
EU Marie-Curie-ITN: Herstellung und grundlegende Eigenschaften von Indiumnitrid und indiumreichen Legierungen (RAINBOW); Teilprojekt (OvGU): Halbleiter-Elektrolytkontakte für Sensorik
Laufzeit: 01.10.2010 bis 30.09.2012
Indiumnitrid (InN) besitzt unter allen Nitridhalbleitern die kleinste Bandlücke. Erst seit wenigen Jahren ist bekannt, dass diese nicht im sichtbaren sondern im infraroten Spektralbereich liegt. Dies eröffnet neue Anwendungsfelder der Nitride. Ein Konsortium aus 14 europäischen Universitäten und Forschungseinrichtungen hat es sich zum Ziel gestellt, zum einen die Herstellung von InN und seinen Legierungen mit GaN und AlN deutlich zu verbessern und zum anderen grundlegende elektronische und optische Eigenschaften des Materialsystems zu untersuchen. Auf dieser Basis sollen erste Demonstratoren neuartiger Bauelemente realisiert werden.
Conduction band density of states probed by photoluminescence excitation spectroscopy in III-nitrides
Laufzeit: 03.05.2011 bis 30.06.2012
Die Leitungsband Zustandsdichte von III-Nitriden soll mittels Synchrotron-basierter Photolumineszenzanregungsspektroskopie untersucht werden. Dabei wird ausgenutzt, dass die semi-core Zustände der Metall-Ionen nur sehr geringe Dispersion aufweisen und daher als Ausgangszustand für eine Anregung ins Leitungsband benutzt werden können. Für Messungen im Rahmen dieses Projekts stehen 4 ganze Tage am Synchrotron zur Verfügung.
Photoluminescence excitation spectroscopy of wurtzite Al(Ga)N
Laufzeit: 28.10.2010 bis 31.12.2011
Mit Synchrotronstrahlung werden Photolumineszenzanregungsspektren von ternären AlGaN Schichten aufgenommen. Dabei werden Aluminiumkonzentrationen zwischen 20% und 100% untersucht. Hochauflösende Tieftemperaturspektren erlauben Einclick in die Valenzbandstruktur der Materialien. Für Messungen stehen 4 ganze Tage am Synchrotron zur Verfügung.
- AG Kuball, University of Bristol, UK
- Dr. Manfred Ramsteiner, PDI, Berlin
- Dr. O. Bierwagen, Paul Drude Institut (PDI), Berlin
- Prof. Dr. A. Dadgar, Abteilung Halbleiterepitaxie, OvGU Magdeburg
- Prof. Dr. J.S. Speck, University of California, Santa Barbara
- Prof. Dr. M. Bickermann, Leibniz Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
- Prof. Dr. M. Kneissl, TU Berlin und FBH Berlin
- Prof.Dr. N.T. Son und Dr. A. Kakanakova-Georgieva, University Linköping, Schweden
- Prof. Dr. Z. Sitar und Prof. Dr. R. Collazo, North Carolina State University, USA
- Prof. Frank T. Edelmann
Sommersemester 2023:
Wintersemester 2022/23:
Sommersemester 2022:
Wintersemester 2021/22:
Sommersemester 2021:
Wintersemester 2020/21:
Sommersemester 2020:
Wintersemester 2019/20:
Sommersemester 2019:
Wintersemester 2018/19:
